Metody pomiarowe

Metody pomiarowe
0 votes, 0.00 avg. rating (0% score)

rp_nauka9.jpgMetody pomiarowe z dziedziny miernictwa specjalnego wykorzystuje się w pracach badawczych nad domieszkowaniem półprzewodników na drodze dyfuzji i implantacji oraz przy opracowywaniu nowych technologii i konstrukcji przyrządów półprzewodnikowych. Typowymi pomiarami z tej dziedziny są pomiary rozkładu koncentracji domieszek czyli tzw. profilu koncentracji. Pomiary te realizuje się najczęściej metodami elektrycznymi, w których wykorzystuje się oddziaływanie pola elektrycznego na nośniki w półprzewodniku. Rozkłady koncentracji wyznaczone tymi metodami reprezentują raczej rozkłady koncentracji nośników, które różnią się od rozkładów koncentracji atomów domieszek. DNie dają one jednak możliwości rozróżnienia atomów domieszki elektrycznie aktywnych od nieaktywnych. Ważną informacją dla oceny jakości warstwy domieszkowanej z punktu widzenia jakości procesów domieszkowania, a także pracy przyrządów półprzewodnikowych jest profil ruchliwości nośników. Profil ten wiąże się często ze stopniem zdefektowania sieci kryształu krzemu w wyniku procesów dyfuzji i implantacji. Metody badania defektów generowanych w czasie domieszkowania i kolejnych procesów termicznych bywają bardzo przydatne dla oceny jakości procesów domieszkowania. W przypadku domieszkowania na drodze implantacji ważną jest znajomość położeń sieciowych implantowanych atomów i znajomość typu defektów radiacyjnych wytwarzanych w procesie implantacji.

Przeczytaj także: Metalizacja wielowarstwowa

 

Jednym z pierwszych systemów metalizacji wielowarstwowej odpornym termicznie, odpornym na elekromigrację i korozję elektrochemiczną oraz względnie łatwym w procesie wytwarzania połączeń jest system metalizacji trój warstwowe j: tytan+platyna+złoto lub tytan+pal- lad+złoto W tego typu metalizacji warstwa pośrednia platyny lub palladu stanowi barierę dla procesów dyfuzji złota i jednocześnie jest modyfikatorem potencjału elektrochemicznego. Zastosowanie warstwy przejściowej Pt lub Pd o właściwościach elektroujemnych względem Ti, który jest metalem elektrododatnim, wpływa stabilizująco na właściwości elektrochemiczne układu i modyfikuje korozję warstwy tytanu, który stosuje się w celu zapewnienia dobrej adhezji metalizacji w obszarach kontaktów oraz na pozostałych powierzchniach struktury krzemowej. W przypadku stosowania warstwy przejściowej Pd, reakcje zachodzące między tytanem i palladem mogą prowadzić np. do wytworzenia się międzymetalicznej warstwy Ti3Pd, która stanowi zaporę dla procesów dyfuzji złota w kierunku kontaktu Si?PtSi. Metalizację Ti?Pt?Au lub Ti?Pd?Au wykonuje się techniką rozpylania katodowego w układzie magnetronowym w czasie jednego próżniowego procesu technologicznego, bez zapowietrzania komory roboczej napylarki ze względu na silne utlenianie się Ti. Warstwę dielektryczną izolującą metalizację od podłoża krzemowego stanowi układ dwuwarstwowy SiO2?Si3N4. Jako wierzchnią warstwę pasywującą stosuje się SiO2 ? P205 lub w specjalnych rozwiązaniach konstrukcyjnych dwuskładnikową warstwę dielektryczną Si3N4?SiO2.

Pozostałe artykuły o szkole i edukacji:

Tagi: drążenie foremników, ra nails lakier hybrydowy, etykiety inspekcyjne z datą, zeltiq Warszawa, standy eliptyczne cena druku, lpk110, kostka fakturowana producent, kubota l3200 cena, biceps 34cm, Fotodepilacja Żary, księgowość wspólnoty Rawa Mazowiecka