Mikrostruktura

Mikrostruktura
0 votes, 0.00 avg. rating (0% score)

rp_nauka43.jpgPodstawowy wpływ na mikrostrukturę warstw Al oraz podatność warstw na deformacje strukturalne, zachodzące w czasie procesów wytwarzania metalizacji , jak również w czasie eksploatacji przyrządów półprzewodnikowych, mają parametry: podłoża, na którym leży metalizacja, procesu osadzania próżniowego cienkich warstw Al. Do czynników w procesie osadzania próżniowego, które muszą być w sposób świadomy ustalone i następnie konsekwentnie kontrolowane w procesach technologicznych, zalicza się: technikę procesu osadzania próżniowego, – czystość oraz stopień odgazowania aluminium stosowanego w technice osadzania próżniowego, szybkość osadzania warstwy na płytkach krzemowych, wartość całkowitego ciśnienia roboczego bezpośrednio przed oraz w czasie procesu technologicznego, temperaturę podłoży w czasie osadzania oraz rodzaj i parametry techniczne układu grzejnego, wartość ciśnień cząstkowych par i gazów aktywnych względem Al oraz innych par i gazów wpływających na parametry i niezawodność metalizacji bezpośrednio przed i w czasie procesu osadzania próżniowego. Parametry procesu osadzania próżniowego można w zadowalający technologicznie sposób zoptymalizować na podstawie pomiarów rezystywności warstw Al oraz kontroli ich powierzchni i struktury na elektronowym mikroskopie analizującym i elektronowym mikroskopie prześwietleniowym. Pomiary elektryczne oraz kontrolę mikroskopową należy przeprowadzać po każdej z operacji wchodzących w skład cyklu technologicznego wytwarzania metalizacji łącznie z procesami osadzania szkliw pasywujących oraz montażu struktur w obudowach. Zaleca się również przeprowadzanie statystycznych badań w czasie eksploatacji przyrządów półprzewodnikowych.

Przeczytaj także: Metody pomiarowe
Metody pomiarowe z dziedziny miernictwa specjalnego wykorzystuje się w pracach badawczych nad domieszkowaniem półprzewodników na drodze dyfuzji i implantacji oraz przy opracowywaniu nowych technologii i konstrukcji przyrządów półprzewodnikowych. Typowymi pomiarami z tej dziedziny są pomiary rozkładu koncentracji domieszek czyli tzw. profilu koncentracji. Pomiary te realizuje się najczęściej metodami elektrycznymi, w których wykorzystuje się oddziaływanie pola elektrycznego na nośniki w półprzewodniku. Rozkłady koncentracji wyznaczone tymi metodami reprezentują raczej rozkłady koncentracji nośników, które różnią się od rozkładów koncentracji atomów domieszek. DNie dają one jednak możliwości rozróżnienia atomów domieszki elektrycznie aktywnych od nieaktywnych. Ważną informacją dla oceny jakości warstwy domieszkowanej z punktu widzenia jakości procesów domieszkowania, a także pracy przyrządów półprzewodnikowych jest profil ruchliwości nośników. Profil ten wiąże się często ze stopniem zdefektowania sieci kryształu krzemu w wyniku procesów dyfuzji i implantacji. Metody badania defektów generowanych w czasie domieszkowania i kolejnych procesów termicznych bywają bardzo przydatne dla oceny jakości procesów domieszkowania. W przypadku domieszkowania na drodze implantacji ważną jest znajomość położeń sieciowych implantowanych atomów i znajomość typu defektów radiacyjnych wytwarzanych w procesie implantacji.

Pozostałe artykuły o szkole i edukacji:

Tagi: tanie taxi legnica, firma otwierająca sejfy awaryjnie - Warszawa, Sieciowy amplituner AV Yamaha RX-A850, kostka fakturowana producent, Tynk mozaikowy Lakma, Fotodepilacja Żary, pantomograf Gliwice, CPE Gliwice, drążenie foremników, Fotoprzekaźnik przeciwsobny, redox extreme efekty